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详细信息 氮化铝可用于作真空蒸发和熔炼金属的容器,特别适于作真空蒸发铝的坩埚,因为氮化铝在真空中加热蒸汽压低,即使分解,也不会 污染铝。氮化铝也可以作热电偶保护套,在空气中 800——1000 ℃铝池中连续浸泡 3000h以上也没有侵蚀破坏。在半导体工业中,用 氮化铝坩埚代替石英坩埚合成砷化稼,可以完全消除 Si对砷化稼的污染而得到高纯产品。 含有 Si,Mg O的热压Al N制品,其导热系数达0.63W/cm.K,可以用作集成电路基板。产品的热压温度为1800 ℃,压力 30 时间30min.加入 CaF 2 可以减少 Al N的摩擦系数,因此可用作潜水泵减磨零件。但添加量10%以上时,在酸碱溶液中的稳定性很高,同无添加剂的Al N制品相近。 Al N和Al2O3反应可生成单相立方氮氧尖晶石,它有很好的高温强压,1500 ℃ 时强度仍保持在 500M Pa,它的化学稳定性更高,是很好的耐火材料。 此外,氮化铝热膨胀系数小,导热性好,还有高的强度,因此可用作高温构件、热交换器等 包装:氮化铝包装于高压塑料袋中,每袋净重为 1公斤,也可按照客户的要求包装
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