1，物理性质：
原子量：69.723
熔点：29.78 ℃
沸点：2403 ℃
密度：5.907 g/cm3 (20℃)
莫比硬度：1.5 kg/mm2
超临界温度：1.087K
固态略带兰色，质软，液态银白色。
2，规格：
化学纯度：
高纯镓：Ga-05 纯度99.999%以上，银，铝，钙，铬，铜，铁，汞，铟，镁，锰，镍，铅，锑，锡，锌杂质总含量小于10ppm；
超纯镓：Ga-06 纯度99.9999%以上，铬，铜，铁，镁，锰，镍，铅，锑，锡，锌杂质总含量小于1ppm；
超高纯镓：Ga-06 纯度99.99999%以上，铜，铁，镁，锰，镍，铅，锑，锡，锌杂质总含量小于0.1ppm。
3，物理性状：固体。
4，用途：
主要用于制备Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，为GaAs, GaP, GaAsP, GaAlAs, GaAlP高纯合金，晶体管合金，超低温合金，原子反应堆中之热载体以及锗，硅单晶的掺杂