多晶硅过程气体分析仪
多晶硅尾气各主要成分的体积分数分别为，HCl 30%；H2 64.2%；SIHCl3 5.4%；其他0.2%。多晶硅尾气均为可回收的产品或可循环使用的原料。对尾气进行有效的治理，不仅可以提高原料的利用率，还可以降低三废的排放量。为了合理治理尾气，必须根据尾气的特性、成分、压力等，选择适当的工艺流程和技术条件。
多晶硅过程气体分析系统可连续监测工业硅提纯的三氯氢硅氢还原工艺中氢气的氧含量和微水含量以及在尾气管道保护气氮气的氧含量和微水含量，从而保证最后提炼超纯硅的品质。
采用变压吸附工艺，一次性去除所有杂质，确保分析效果准确性。预处理单元中利用吸附剂吸附杂质组分的能力远强于吸附氢气能力，可以将混合气体中的氢气提纯。本系统根据我国多晶硅生产线中高尘、高腐蚀的恶劣工况条件。
系统特点
1. 取样系统为可插拔式探头，方便更换滤芯
2. 过滤器可过粉尘和硅粉，过滤精度为0.1μm
3. 大屏幕现场就地显示
4. 系统自动标定，无须人工校验；
5. 主机采用纯进口检测元件；
6.系统兼容性强大
7.手自动一体，故障自检；
技术参数
1) 型号：TR9700
2) 输出：4-20 mA、RS232或485
3) 响应时间：T90<15s
4) 工作温度：-20º~+60º
5) 电源：24 VDC
6) 防护等级：IP65
7) 系统部件：316L不锈钢
8) 防爆标准：符合EEx ia IIC T4
微水分析仪：
a. 测量范围：-100~+20º
b. 精度：+20~-60º 露点范围内为±1º
c. -60~-100º 露点范围内为±2º
d. 工作压力： 真空~40 MPa
e. 计量单位：PPmW,℃
f. 防爆标准：非现场显示型符合EEx ia IIC T4
g. 现场显示型符合EEXd IIB T4
多晶硅过程气体分析系统可连续监测工业硅提纯的三氯氢硅氢还原工艺中氢气的氧含量和微水含量以及在尾气管道保护气氮气的氧含量和微水含量，从而保证最后提炼超纯硅的品质。
采用变压吸附工艺，一次性去除所有杂质，确保分析效果准确性。预处理单元中利用吸附剂吸附杂质组分的能力远强于吸附氢气能力，可以将混合气体中的氢气提纯。本系统根据我国多晶硅生产线中高尘、高腐蚀的恶劣工况条件。
系统特点
1. 取样系统为可插拔式探头，方便更换滤芯
2. 过滤器可过粉尘和硅粉，过滤精度为0.1μm
3. 大屏幕现场就地显示
4. 系统自动标定，无须人工校验；
5. 主机采用纯进口检测元件；
6.系统兼容性强大
7.手自动一体，故障自检；
技术参数
1) 型号：TR9700
2) 输出：4-20 mA、RS232或485
3) 响应时间：T90<15s
4) 工作温度：-20º~+60º
5) 电源：24 VDC
6) 防护等级：IP65
7) 系统部件：316L不锈钢
8) 防爆标准：符合EEx ia IIC T4
微水分析仪：
a. 测量范围：-100~+20º
b. 精度：+20~-60º 露点范围内为±1º
c. -60~-100º 露点范围内为±2º
d. 工作压力： 真空~40 MPa
e. 计量单位：PPmW,℃
f. 防爆标准：非现场显示型符合EEx ia IIC T4
g. 现场显示型符合EEXd IIB T4