品牌:OTS
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OTS TAR HS-200有机镀锡工艺
一、简介：
OTS TAR HS-200为一低泡沫性的有机酸电镀工艺，能再高速和低俗下电镀出沉积均匀、多边形大晶粒纯锡镀层。
特别设计用于高速片状式或卷带式电镀设备，该工艺非常适用于半导体引线框架和连接器。此工艺可以通过改变操作参数用于低速电镀。
二、优点与特征：
*环保；*无铅镀层； *低应力；
*优越的焊锡性能； *低泡沫性电镀液；
*均匀缎状哑光外观； *大尺寸多边形结晶（直径4-5微米）；
三、镀层特性：
*结构与外观：大结晶，缎状—哑光
*合金比例： 100%锡
*熔点： 232°C（450°F）
四、所需材料
OTS TAR HS-200 Ⅰ# 添加剂，维持细致及均匀的镀层；
OTS TAR HS-200 Ⅱ# 添加剂，维持低电流密度区域的覆盖能力，补充量为每1000安培小时20-30毫升，或保持浓度在3-7 ml/L；
OTS TAR HS-200 锡浓缩液，提供锡离子，每添加3.33ml/L的锡浓缩液可以提高锡浓度1g/L；
OTS TAR HS-200 C酸液，使槽液温度，每添加10ml/L酸液，镀液的酸浓度会提升1%；
OTS TAR HS-200 AO浓缩液，是一种抗氧化剂，以减低二价锡的氧化。
五、设备：
电镀缸：聚乙烯、聚丙烯、CPVC或#316L不锈钢
加热器：钛、石英或外套聚四氟乙烯加热器
筛检程式：用1微米的聚丙烯滤芯连续过滤
阳极：装在钛蓝或#316L不锈钢蓝中的纯锡球或锡块、纯锡板
备注：阳极蓝必须总是装满阳极，才能有效提供均匀电流分布而保持品质稳定。
六、配槽程序
1）添加去离子水于镀槽中
2）加入OTS TAR HS-200 C酸液，搅拌均匀
3）加入OTS TAR HS-200锡浓缩液（300g/L），搅拌均匀
4）加入OTS TAR HS-200 Ⅰ#添加剂，搅拌均匀
5）加入OTS TAR HS-200Ⅱ#添加剂，搅拌均匀
6）加入OTS TAR HS-200 AO抗氧化剂，搅拌均匀
7）添加去离子水至控制液位。
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高速槽液配制
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中速槽液配制
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低速槽液配制
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药品
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5-30安培/平方分米
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10-15安培/平方分米
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0.5-5安培/平方分米
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去离子水
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570 ml
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600 ml
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580ml
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OTS TAR HS-200锡浓缩液（300 g/LSn2+）
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217 ml
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133ml
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83ml
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OTS TAR HS-200 C 酸液
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80 ml
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130ml
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235ml
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OTS TAR HS-200 Ⅰ#添加剂
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100 ml
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100ml
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75ml
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OTS TAR HS-200 Ⅱ#添加剂
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5 ml
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10ml
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4ml
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OTS TAR HS-200 AO抗氧化剂
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10 ml
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10ml
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10ml
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添加去离子水至指定容积
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参数
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高速操
作范围
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建议
范围
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中速操
作范围
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建议
范围
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低速操
作范围
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建议
范围
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二价锡
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55-75 g/L
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65 g/L
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30-50 g/L
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40 g/L
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20-30 g/L
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25 g/L
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OTS TAR HS-200 C 酸液
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175-245 ml/L
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210 ml/L
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175-245 ml/L
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210 ml/L
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270-300 ml/L
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285ml/L
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OTS TAR HS-200 Ⅰ#添加剂
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70-130 ml/L
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100 ml/L
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70-130 ml/L
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100 ml/L
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50-100 ml/L
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75 ml/L
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OTS TAR HS-200 Ⅱ#添加剂
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2-8 ml/L
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5 ml/L
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5-15 ml/L
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10 ml/L
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2-6 ml/L
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4 ml/L
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OTS TAR HS-200 AO抗氧化剂
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5-20 ml/L
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10 ml/L
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5-20 ml/L
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10 ml/L
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5-20 ml/L
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10 ml/L
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温度
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45-55℃
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50℃
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35-45℃
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40℃
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25-35℃
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30℃
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阴极电流密度
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5-50 A/d㎡
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按实际 而定
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10-15 A/d㎡
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按实际 而定
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0.5-5 A/d㎡
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按实际 而定
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阳极与阴极 面积比
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至少1:1
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搅拌
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阴极移动及中速镀液回圈搅拌
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阴极效率
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95-100%
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沉积速率
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在10A/d㎡下每分钟5.0微米
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在5A/d㎡下每分钟2.5微米
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在1A/d㎡下每分钟 0.5微米
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注意：
（1）OTS TAR HS-200锡浓缩液（300克/公升）（浓原液）中含有OTS TAR HS-200 C酸液，故它们亦对镀液中OTS TAR HS-200酸液浓度构成影响。
（2）在槽液配置前，镀槽及辅助设备均需彻底清洗，并以70-140毫升/公升的OTS TAR HS-200 C酸液作为最后之活化步骤，此步骤对新设备或曾作其他用途的设备，如氟硼酸系统，尤其重要。
附注：
1）在0.5微米厚的镍底层上镀OTS TAR HS-200可有效防止晶须的产生；
2）铅杂质超过100ppm将会产生危害，随着铅含量的增加，高电流密度区域镀层会变得越来越暗，对铅污染的容忍度取决于电流密度的高低，电流密度越低，对铅污染的容忍度越低
3）铅污染来自于
OTS TAR HS-200有机镀锡工艺
一、简介：
OTS TAR HS-200为一低泡沫性的有机酸电镀工艺，能再高速和低俗下电镀出沉积均匀、多边形大晶粒纯锡镀层。
特别设计用于高速片状式或卷带式电镀设备，该工艺非常适用于半导体引线框架和连接器。此工艺可以通过改变操作参数用于低速电镀。
二、优点与特征：
*环保；*无铅镀层； *低应力；
*优越的焊锡性能； *低泡沫性电镀液；
*均匀缎状哑光外观； *大尺寸多边形结晶（直径4-5微米）；
三、镀层特性：
*结构与外观：大结晶，缎状—哑光
*合金比例： 100%锡
*熔点： 232°C（450°F）
四、所需材料
OTS TAR HS-200 Ⅰ# 添加剂，维持细致及均匀的镀层；
OTS TAR HS-200 Ⅱ# 添加剂，维持低电流密度区域的覆盖能力，补充量为每1000安培小时20-30毫升，或保持浓度在3-7 ml/L；
OTS TAR HS-200 锡浓缩液，提供锡离子，每添加3.33ml/L的锡浓缩液可以提高锡浓度1g/L；
OTS TAR HS-200 C酸液，使槽液温度，每添加10ml/L酸液，镀液的酸浓度会提升1%；
OTS TAR HS-200 AO浓缩液，是一种抗氧化剂，以减低二价锡的氧化。
五、设备：
电镀缸：聚乙烯、聚丙烯、CPVC或#316L不锈钢
加热器：钛、石英或外套聚四氟乙烯加热器
筛检程式：用1微米的聚丙烯滤芯连续过滤
阳极：装在钛蓝或#316L不锈钢蓝中的纯锡球或锡块、纯锡板
备注：阳极蓝必须总是装满阳极，才能有效提供均匀电流分布而保持品质稳定。
六、配槽程序
1）添加去离子水于镀槽中
2）加入OTS TAR HS-200 C酸液，搅拌均匀
3）加入OTS TAR HS-200锡浓缩液（300g/L），搅拌均匀
4）加入OTS TAR HS-200 Ⅰ#添加剂，搅拌均匀
5）加入OTS TAR HS-200Ⅱ#添加剂，搅拌均匀
6）加入OTS TAR HS-200 AO抗氧化剂，搅拌均匀
7）添加去离子水至控制液位。
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高速槽液配制
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中速槽液配制
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低速槽液配制
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药品
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5-30安培/平方分米
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10-15安培/平方分米
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0.5-5安培/平方分米
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去离子水
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570 ml
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600 ml
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580ml
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OTS TAR HS-200锡浓缩液（300 g/LSn2+）
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217 ml
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133ml
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83ml
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OTS TAR HS-200 C 酸液
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80 ml
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130ml
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235ml
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OTS TAR HS-200 Ⅰ#添加剂
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100 ml
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100ml
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75ml
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OTS TAR HS-200 Ⅱ#添加剂
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5 ml
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10ml
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4ml
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OTS TAR HS-200 AO抗氧化剂
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10 ml
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10ml
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10ml
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添加去离子水至指定容积
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参数
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高速操
作范围
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建议
范围
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中速操
作范围
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建议
范围
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低速操
作范围
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建议
范围
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二价锡
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55-75 g/L
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65 g/L
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30-50 g/L
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40 g/L
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20-30 g/L
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25 g/L
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OTS TAR HS-200 C 酸液
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175-245 ml/L
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210 ml/L
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175-245 ml/L
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210 ml/L
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270-300 ml/L
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285ml/L
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OTS TAR HS-200 Ⅰ#添加剂
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70-130 ml/L
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100 ml/L
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70-130 ml/L
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100 ml/L
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50-100 ml/L
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75 ml/L
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OTS TAR HS-200 Ⅱ#添加剂
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2-8 ml/L
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5 ml/L
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5-15 ml/L
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10 ml/L
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2-6 ml/L
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4 ml/L
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OTS TAR HS-200 AO抗氧化剂
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5-20 ml/L
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10 ml/L
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5-20 ml/L
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10 ml/L
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5-20 ml/L
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10 ml/L
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温度
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45-55℃
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50℃
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35-45℃
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40℃
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25-35℃
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30℃
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阴极电流密度
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5-50 A/d㎡
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按实际 而定
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10-15 A/d㎡
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按实际 而定
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0.5-5 A/d㎡
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按实际 而定
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阳极与阴极 面积比
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至少1:1
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搅拌
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阴极移动及中速镀液回圈搅拌
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阴极效率
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95-100%
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沉积速率
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在10A/d㎡下每分钟5.0微米
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在5A/d㎡下每分钟2.5微米
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在1A/d㎡下每分钟 0.5微米
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注意：
（1）OTS TAR HS-200锡浓缩液（300克/公升）（浓原液）中含有OTS TAR HS-200 C酸液，故它们亦对镀液中OTS TAR HS-200酸液浓度构成影响。
（2）在槽液配置前，镀槽及辅助设备均需彻底清洗，并以70-140毫升/公升的OTS TAR HS-200 C酸液作为最后之活化步骤，此步骤对新设备或曾作其他用途的设备，如氟硼酸系统，尤其重要。
附注：
1）在0.5微米厚的镍底层上镀OTS TAR HS-200可有效防止晶须的产生；
2）铅杂质超过100ppm将会产生危害，随着铅含量的增加，高电流密度区域镀层会变得越来越暗，对铅污染的容忍度取决于电流密度的高低，电流密度越低，对铅污染的容忍度越低
3）铅污染来自于镀缸中的锡铅残留物（如果镀缸以前作过他用）或阳极。
镀缸中的锡铅残留物（如果镀缸以前作过他用）或阳极。
