OTS TAR HS-200有机镀锡工艺_其它中间体_中间体_化工产品

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商品信息

基本参数

品牌：	OTS
所在地：	广东深圳市
起订：	未填
供货总量：	未填
有效期至：	长期有效

详细说明

OTS TAR HS-200有机镀锡工艺

一、简介：

OTS TAR HS-200为一低泡沫性的有机酸电镀工艺，能再高速和低俗下电镀出沉积均匀、多边形大晶粒纯锡镀层。

特别设计用于高速片状式或卷带式电镀设备，该工艺非常适用于半导体引线框架和连接器。此工艺可以通过改变操作参数用于低速电镀。

二、优点与特征：

*环保；*无铅镀层； *低应力；

*优越的焊锡性能； *低泡沫性电镀液；

*均匀缎状哑光外观； *大尺寸多边形结晶（直径4-5微米）；

三、镀层特性：

*结构与外观：大结晶，缎状—哑光

*合金比例： 100%锡

*熔点： 232°C（450°F）

四、所需材料

OTS TAR HS-200 Ⅰ# 添加剂，维持细致及均匀的镀层；

OTS TAR HS-200 Ⅱ# 添加剂，维持低电流密度区域的覆盖能力，补充量为每1000安培小时20-30毫升，或保持浓度在3-7 ml/L；

OTS TAR HS-200 锡浓缩液，提供锡离子，每添加3.33ml/L的锡浓缩液可以提高锡浓度1g/L；

OTS TAR HS-200 C酸液，使槽液温度，每添加10ml/L酸液，镀液的酸浓度会提升1%；

OTS TAR HS-200 AO浓缩液，是一种抗氧化剂，以减低二价锡的氧化。

五、设备：

电镀缸：聚乙烯、聚丙烯、CPVC或#316L不锈钢

加热器：钛、石英或外套聚四氟乙烯加热器

筛检程式：用1微米的聚丙烯滤芯连续过滤

阳极：装在钛蓝或#316L不锈钢蓝中的纯锡球或锡块、纯锡板

备注：阳极蓝必须总是装满阳极，才能有效提供均匀电流分布而保持品质稳定。

六、配槽程序

1）添加去离子水于镀槽中

2）加入OTS TAR HS-200 C酸液，搅拌均匀

3）加入OTS TAR HS-200锡浓缩液（300g/L），搅拌均匀

4）加入OTS TAR HS-200 Ⅰ#添加剂，搅拌均匀

5）加入OTS TAR HS-200Ⅱ#添加剂，搅拌均匀

6）加入OTS TAR HS-200 AO抗氧化剂，搅拌均匀

7）添加去离子水至控制液位。

		高速槽液配制	中速槽液配制	低速槽液配制
药品		5-30安培/平方分米	10-15安培/平方分米	0.5-5安培/平方分米
去离子水		570 ml	600 ml	580ml
OTS TAR HS-200锡浓缩液（300 g/LSn²⁺）		217 ml	133ml	83ml
OTS TAR HS-200 C 酸液		80 ml	130ml	235ml
OTS TAR HS-200 Ⅰ#添加剂		100 ml	100ml	75ml
OTS TAR HS-200 Ⅱ#添加剂		5 ml	10ml	4ml
OTS TAR HS-200 AO抗氧化剂		10 ml	10ml	10ml
	添加去离子水至指定容积

参数	高速操作范围	建议范围	中速操作范围	建议范围	低速操作范围	建议范围
二价锡	55-75 g/L	65 g/L	30-50 g/L	40 g/L	20-30 g/L	25 g/L
OTS TAR HS-200 C 酸液	175-245 ml/L	210 ml/L	175-245 ml/L	210 ml/L	270-300 ml/L	285ml/L
OTS TAR HS-200 Ⅰ#添加剂	70-130 ml/L	100 ml/L	70-130 ml/L	100 ml/L	50-100 ml/L	75 ml/L
OTS TAR HS-200 Ⅱ#添加剂	2-8 ml/L	5 ml/L	5-15 ml/L	10 ml/L	2-6 ml/L	4 ml/L
OTS TAR HS-200 AO抗氧化剂	5-20 ml/L	10 ml/L	5-20 ml/L	10 ml/L	5-20 ml/L	10 ml/L
温度	45-55℃	50℃	35-45℃	40℃	25-35℃	30℃
阴极电流密度	5-50 A/d㎡	按实际而定	10-15 A/d㎡	按实际而定	0.5-5 A/d㎡	按实际而定
阳极与阴极面积比	至少1:1
搅拌	阴极移动及中速镀液回圈搅拌
阴极效率	95-100%
沉积速率	在10A/d㎡下每分钟5.0微米		在5A/d㎡下每分钟2.5微米		在1A/d㎡下每分钟 0.5微米

注意：

（1）OTS TAR HS-200锡浓缩液（300克/公升）（浓原液）中含有OTS TAR HS-200 C酸液，故它们亦对镀液中OTS TAR HS-200酸液浓度构成影响。

（2）在槽液配置前，镀槽及辅助设备均需彻底清洗，并以70-140毫升/公升的OTS TAR HS-200 C酸液作为最后之活化步骤，此步骤对新设备或曾作其他用途的设备，如氟硼酸系统，尤其重要。

附注：

1）在0.5微米厚的镍底层上镀OTS TAR HS-200可有效防止晶须的产生；

2）铅杂质超过100ppm将会产生危害，随着铅含量的增加，高电流密度区域镀层会变得越来越暗，对铅污染的容忍度取决于电流密度的高低，电流密度越低，对铅污染的容忍度越低

3）铅污染来自于